Глобальная гонка вооружений в сфере искусственного интеллекта превратила высокоскоростную память в главный фактор конкурентоспособности вычислительных систем. С переходом к новым стандартам индустрия сталкивается с необходимостью глубокой кастомизации базовых кристаллов под конкретные задачи заказчика. Samsung Electronics намерена изменить правила игры, создав полностью автономный цикл производства для следующего поколения памяти. Эта стратегия призвана обеспечить Nvidia технологическим преимуществом, исключив зависимость от сторонних foundries.
Эволюция высокопроизводительной памяти HBM (High Bandwidth Memory) достигла точки, где стандартные решения перестают удовлетворять аппетиты современных нейросетей. Начиная с поколения HBM4, базовый кристалл в стеке памяти перестает быть просто фундаментом и превращается в активный логический слой, который должен быть максимально адаптирован под конкретную архитектуру графического процессора. В этой ситуации рынок разделяется на два лагеря: одни игроки, такие как SK hynix, вынуждены полагаться на внешние мощности TSMC для производства этих специализированных слоев, другие же стремятся к полной вертикальной интеграции.
Samsung выбирает путь технологической автономности. Ключевым элементом этой стратегии становится развитие кампуса NRD-K в южнокорейском Йонъине. Этот объект, объединяющий исследовательские центры и производственные линии, изначально задумывался как гибридная площадка, однако текущая рыночная конъюнктура диктует новые приоритеты. Вторая очередь строительства кампуса может быть перепрофилирована из чистого R&D-центра в полноценную площадку по контрактному производству 2-нм базовых кристаллов для стеков памяти нового поколения.
Речь идет о подготовке к выпуску HBM5 — стандарта, который должен стать следующим качественным скачком в пропускной способности данных. Samsung планирует предложить Nvidia решение, где базовый кристалл изготавливается по техпроцессу 2 нм с применением структуры транзисторов с окружающим затвором (Gate-All-Around, GAA). Переход на GAA является критическим: эта технология позволяет гораздо эффективнее контролировать ток утечки и увеличивать плотность размещения компонентов по сравнению с традиционными FinFET-транзисторами. Именно этот технологический стек должен обеспечить HBM5 прирост быстродействия более чем на 50% относительно стандарта HBM4E.
Стоит отметить, что кампус в Йонъине не станет полноценным гигантом по масштабам классических фабрик (fabs). Из-за ограниченных размеров площадки полный цикл обработки кремниевых пластин здесь реализовать не удастся, однако Samsung сосредоточится на наиболее критических и специфических этапах техпроцесса. Это позволит компании гибко реагировать на запросы Nvidia, создавая кастомизированные чипы в режиме, близком к быстрому прототипированию, но с промышленным качеством исполнения.
Масштабы инвестиций подчеркивают серьезность намерений: общие затраты на развитие инфраструктуры в Йонъине достигнут 14 миллиардов долларов. К 2030 году компания планирует запустить здесь три производственные линии, одна из которых уже была завершена в конце 2024 года. Запуск второй очереди, которая и станет базой для производства 2-нм кристаллов, намечен на вторую половину 2028 года.
Несмотря на амбициозность плана, Samsung оставляет за собой пространство для маневра. Решение о перепрофилировании второй фазы NRD-K пока носит предварительный характер. В условиях стремительной трансформации рынка ИИ-ускорителей компания готова корректировать назначение площадки в зависимости от того, как будут развиваться требования к памяти и какие технологические барьеры возникнут на пути к 2-нм литографии. Тем не менее, вектор задан четко: стремление к полному контролю над цепочкой создания стоимости — от дизайна кристалла до финальной сборки стека HBM5.
Цена ускоренного развития памяти CXMT
