Глобальні перегони озброєнь у сфері штучного інтелекту вивели високошвидкісну пам'ять у статус головного чинника конкурентоспроможності сучасних обчислювальних систем. Перехід на нові стандарти ставить перед індустрією новий виклик — необхідність глибокої кастомізації базових кристалів під специфічні потреби замовників. Samsung Electronics прагне змінити правила гри, розбудовуючи повністю автономний виробничий цикл для пам’яті наступного покоління. Така стратегія має забезпечити Nvidia вирішальною технологічною перевагою, повністю усунувши залежність від сторонніх виробничих майданчиків (foundries).
Еволюція високопродуктивної пам'яті HBM (High Bandwidth Memory) досягла точки, де стандартні рішення перестають задовольняти апетити сучасних нейромереж. Починаючи з покоління HBM4, базовий кристал у стеку пам'яті перестає бути просто фундаментом і перетворюється на активний логічний шар, який має бути максимально адаптований під конкретну архітектуру графічного процесора. У цій ситуації ринок розколовся на два табори: одні гравці, як-от SK hynix, змушені покладатися на зовнішні потужності TSMC для виробництва цих спеціалізованих шарів, інші ж прагнуть повної вертикальної інтеграції.
Samsung обирає шлях технологічної автономності. Ключовим елементом цієї стратегії стає розвиток кампусу NRD-K у південнокорейському Йонїні. Цей об'єкт, що об'єднує дослідницькі центри та виробничі лінії, від самого початку задумувався як гібридний майданчик, проте поточна ринкова кон'юнктура диктує нові пріоритети. Друга черга будівництва кампусу може бути перепрофільована з чистого R&D-центру на повноцінний майданчик із контрактного виробництва 2-нм базових кристалів для стеків пам'яті нового покоління.
Йдеться про підготовку до випуску HBM5 — стандарту, який має стати наступним якісним стрибком у пропускній здатності даних. Samsung планує запропонувати Nvidia рішення, де базовий кристал виготовляється за техпроцесом 2 нм із застосуванням структури транзисторів із затвором навколо каналу (Gate-All-Around, GAA). Перехід на GAA є критичним: ця технологія дозволяє значно ефективніше контролювати струм витоку та збільшувати щільність розміщення компонентів порівняно з традиційними FinFET-транзисторами. Саме цей технологічний стек має забезпечити HBM5 приріст швидкодії більш ніж на 50% відносно стандарту HBM4E.
Варто зауважити, що кампус у Йонїні не стане повноцінним гігантом за масштабами класичних фабрик (fabs). Через обмежені розміри майданчика повний цикл обробки кремнієвих пластин тут реалізувати не вдасться, проте Samsung зосередиться на найбільш критичних і специфічних етапах техпроцесу. Це дозволить компанії гнучко реагувати на запити Nvidia, створюючи кастомізовані чипи в режимі, близькому до швидкого прототипування, але з промисловою якістю виконання.
Масштаби інвестицій підкреслюють серйозність намірів: загальні витрати на розвиток інфраструктури в Йонїні досягнуть 14 мільярдів доларів. До 2030 року компанія планує запустити тут три виробничі лінії, одна з яких уже була завершена наприкінці 2024 року. Запуск другої черги, яка і стане базою для виробництва 2-нм кристалів, намічено на другу половину 2028 року.
Попри амбітність плану, Samsung залишає за собою простір для маневру. Рішення про перепрофілювання другої фази NRD-K поки що має попередній характер. В умовах стрімкої трансформації ринку ШІ-прискорювачів компанія готова коригувати призначення майданчика залежно від того, як розвиватимуться вимоги до пам'яті та які технологічні бар'єри виникнуть на шляху до 2-нм літографії. Проте вектор задано чітко: прагнення до повного контролю над ланцюгом створення вартості — від дизайну кристала до фінальної збірки стека HBM5.
Ціна стрімкого розвитку CXMT у сфері пам'яті
