Експансія фонду PIF у геймінг-сектор
Технологічний розрив китайської літографії DUV

Індустрія мікроелектроніки опинилася в епіцентрі геополітичного шторму, де доступ до обладнання для літографії став еквівалентним володінню стратегічним ресурсом. Нещодавні повідомлення про початок масового випуску систем глибокого ультрафіолетового випромінювання (DUV) всередині Китаю викликали помітний резонанс на фінансових ринках. Йдеться про іммерсійну літографію — технологію, що дозволяє створювати достатньо просунуті напівпровідники, які є фундаментом сучасної електроніки.
Перші ознаки цього зрушення проявилися в діяльності компанії Shanghai Aishengna Electronic Technology Group. Заснована лише рік тому за підтримки муніципальної влади Шанхая, ця структура стала свого роду консолідатором інженерних зусиль країни. До її команди увійшли фахівці з Shanghai Yuliangsheng та відомішої SMEE (Shanghai Micro Electronics Equipment), що свідчить про спробу створити єдиний технологічний фронт для подолання західного ембарго.
Ринок відреагував на ці новини волатильністю, характерною для сучасної епохи. Акції ASML та Infineon Technologies продемонстрували різке падіння, що відобразило побоювання інвесторів щодо можливої втрати китайського ринку. Хоча аналітики згодом назвали цю реакцію надмірною, сам факт того, що державні ЗМІ Китаю почали натякати на «втрату ефективності західної блокади», свідчить про серйозність намірів Пекіна.
Однак за гучними заявами криється сувора технічна реальність. Китайські розробки в області DUV-систем, зокрема модель SSX800, за своїми характеристиками співмірні з обладнанням ASML Twinscan NXT:1950i. Проблема полягає в тому, що нідерландська система була виведена на ринок ще у 2008 році. Таким чином, сучасний китайський флагман фактично відстає від світових стандартів на чотири покоління.
Технологічний розрив проявляється не лише у віці систем, а й у їхній ефективності. У той час як сучасні установки забезпечують найвищий рівень виходу придатних кристалів (yield rate), що сягає 90–95%, китайські аналоги поки що далекі від цих показників. Навіть за здатності обробляти до 150 кремнієвих пластин на годину, низький відсоток браку робить такі системи малопридатними для повноцінного масового виробництва високотехнологічних чипів.
Більше того, декларація про «самодостатність» залишається частковою. Попри те що система SSA800 на 70% складається з локальних компонентів, критичні вузли — джерела лазерного випромінювання, прецизійні дзеркала, надскладна оптика та керуюче програмне забезпечення — й надалі потребують імпорту. Це створює парадоксальну ситуацію: намагаючись позбутися залежності від ASML, китайські інженери залишаються заручниками ланцюгів постачання компонентів, які все одно контролюються Заходом.
У стратегічному плані розподіл праці всередині Китаю виглядає логічним: поки Yuliangsheng та Aishengna намагаються опанувати 28-нанометровий техпроцес (мета щодо якого намічена на 2027 рік), SMEE фокусується на створенні систем екстремального ультрафіолету (EUV). Однак шлях від прототипу до промислового стандарту в літографії вимірюється десятиліттями, і поточні успіхи Китаю поки що виглядають радше як спроба виживання в умовах ізоляції, ніж як реальна загроза технологічному домінуванню ASML.

