Технологічний альянс Кореї та Японії
Подолання меж кремнієвих обчислень для ШІ

Епоха класичного масштабування напівпровідників наближається до своєї логічної межі. Попит на ресурси для навчання та роботи моделей ШІ зростає п'ятикратно щороку, що ставить перед індустрією жорсткий ультиматум: або шукати принципово нові способи компонування систем, або змиритися з деградацією темпів зростання продуктивності. У цій ситуації гетерогенна інтеграція стає єдиним життєздатним шляхом розвитку.
Суть підходу полягає у відмові від монолітних кристалів на користь складних багатошарових структур. Ключовим інструментом тут виступають технології пакування CoWoS та методи системної інтеграції на кристалі (SoIC). Плани розвитку передбачають поетапний перехід до надщільних 3D-структур: вже до 2026 року очікується впровадження зв'язки N2P-on-N3P, а до 2029 року індустрія перейде на стандарт A14-on-A14 з кроком міжз'єднань лише 4,5 мкм. Такий підхід дозволяє об'єднувати різні техпроцеси в єдиний обчислювальний блок, радикально скорочуючи фізичну відстань між компонентами і, відповідно, затримки при передачі сигналів.
Однак навіть найщільніше компонування не вирішує проблему енергоспоживання та перегріву при передачі даних на високих швидкостях. Саме тут на сцену виходить кремнієва фотоніка — технологія, що перетворює електричні сигнали на світлові безпосередньо всередині чипа.
Центральним елементом цієї трансформації стає платформа COUPE (Compact Universal Photonic Engine). Вона дозволяє інтегрувати електронні інтегральні схеми (EIC) з фотонними (PIC), використовуючи високоточні з'єднання. Результати цього переходу вражають: втрати при передачі даних на швидкості 112 Гбіт/с знижуються з 1,38 дБ (при використанні традиційних мікроз'єднань) до мізерних 0,06 дБ. Це не просто оптимізація, а якісний стрибок, який скорочує затримки до діапазону 10–20 наносекунд і суттєво знижує тепловіддачу системи.
Для забезпечення подальшого зростання пропускної здатності розвиток ведеться двома векторами. Перший — це збільшення швидкості передачі по окремому каналу з 200 Гбіт/с до 400 Гбіт/с при одночасному розширенні кількості каналів з 16 до 128. Це дозволяє підняти загальну пропускну здатність з 3,2 до понад 12,8 Тбіт/с. Другий вектор — впровадження мультиплексування з розділенням за довжиною хвилі (WDM), що фактично означає створення багатосмугового «світлового шосе» всередині одного фізичного з'єднання.
Перехід до технології спільно упакованої оптики (Co-Packaged Optics, CPO) неминуче тягне за собою перегляд процесів проєктування та контролю якості. Щоб уникнути високовартісного браку на фінальних стадіях збирання, впроваджується оптичне тестування безпосередньо на рівні кремнієвих пластин. Паралельно створюються спеціалізовані платформи для електронно-фотонного моделювання, інтегровані з інструментами Cadence та Synopsys, що дозволяє інженерам передбачати поведінку світлових сигналів ще до фізичного виробництва чипа.
У глобальному масштабі ми спостерігаємо структурний зсув у влаштуванні дата-центрів. Оптика перестає бути просто зовнішнім інтерфейсом підключення серверів і стає «нервовою системою» всього обчислювального комплексу. Прогнози вказують на те, що до 2027 року кремнієва фотоніка займе понад 50% ринку оптичних трансиверів.
Незважаючи на технологічну готовність до масового виробництва, основним викликом залишається ланцюг постачання. Надійність самих кремнієвих підкладок уже доведена практикою, проте індустрія й надалі залежить від зовнішніх компонентів: прецизійних лазерів, спеціалізованих оптичних волокон та високоточних конекторів. Саме ці ланки зараз визначають реальну швидкість експансії фотонних обчислень у світовій ІТ-інфраструктурі.

