Глобальная гонка полупроводников стремительно приближается к порогу в 2 нанометра, где эффективность вычислений определяет лидерство в сфере искусственного интеллекта. TSMC, удерживая статус главного мирового foundary, переходит к фазе агрессивного расширения своих производственных мощностей. Эта стратегия подразумевает не только количественный рост, но и глубокую географическую диверсификацию активов. Текущий инвестиционный цикл закладывает фундамент вычислительной инфраструктуры на ближайшее десятилетие.
Переход на техпроцесс 2 нм становится для TSMC стратегическим приоритетом, несмотря на то что на текущий момент выручка от этого сегмента составляет лишь около 3% от общего объема поступлений. Однако динамика развертывания мощностей говорит о подготовке к масштабному рывку: к середине следующего года объем выпуска будет увеличен на 22%, что позволит компании обрабатывать от 90 до 110 тысяч кремниевых пластин ежемесячно.
Параллельно с этим продолжается экспансия 3-нм сегмента. Хотя темпы его роста в процентном соотношении выглядят скромнее — около 16%, в абсолютных цифрах это означает увеличение объема с 180 до 210 тысяч пластин в месяц. Для понимания масштаба прогресса стоит взглянуть на данные аналитиков Wedbush Securities: еще в прошлом полугодии показатели 3-нм линий не превышали 150 тысяч пластин, а передовые 2-нм изделия обрабатывались в объемах до 60 тысяч единиц.
Географическая стратегия TSMC теперь выходит за пределы Тайваня, превращаясь в глобальную сеть. В ближайшей перспективе выпуск 3-нм чипов будет развернут на трех ключевых площадках: на Тайване, в Японии и в американском штате Аризона. Примечательно, что на тайваньских заводах компания применяет метод оптимизации, переоборудуя часть линий, которые ранее специализировались на 5-нм компонентах. Финансовый масштаб этих преобразований впечатляет: капитальные затраты компании в текущем году составят от 60 до 64 млрд долларов, причем подавляющая часть этих средств — от 70% до 80% — направляется именно на развитие передовых техпроцессов.
Однако создание самого кристалла — лишь половина задачи. Критическим узким местом современной индустрии стала упаковка и тестирование, особенно при использовании технологии CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate), которая позволяет объединять несколько кристаллов в один высокопроизводительный модуль. TSMC активно расширяет мощности в этом направлении, фокусируясь на площадке AP7 на Тайване и создавая аналогичное предприятие в Аризоне. Последнее имеет принципиальное значение для логистики: локализация упаковки в США исключит необходимость пересылать полуфабрикаты на Тайвань и обратно, что существенно сократит производственный цикл.
Прогнозы развития CoWoS демонстрируют амбициозный вектор: если к концу текущего года мощность упаковки достигнет эквивалента 130 тысяч пластин в месяц, то к 2028 году этот показатель должен удвоиться до 260 тысяч.
На этом фоне конкуренция со стороны Intel приобретает определенные очертания. Своей технологией EMIB-T компания Intel пытается занять нишу высокотехнологичной упаковки, планируя увеличить объемы с нынешних 20 до 45 тысяч пластин в месяц к 2028 году. Несмотря на значительный разрыв в масштабах по сравнению с TSMC, такие возможности могут стать привлекательными для крупных игроков, таких как Google, Amazon и MediaTek, стремящихся диверсифицировать свои цепочки поставок и снизить зависимость от одного поставщика.
ИИ-агенты трансформируют разработку полупроводников
