Напівпровідникова індустрія досягла фізичної межі, за якої стандартна EUV-літографія більше не здатна забезпечити необхідну щільність транзисторів. Виходом стає перехід на системи High-NA, що дозволяють створювати структури розміром менше 2 нанометрів завдяки збільшенню числової апертури оптики. Попри колосальну вартість обладнання, гонка за лідерство в галузі ШІ робить цей технологічний стрибок неминучим. Поточна динаміка впровадження цих систем оголює глибокий стратегічний розрив між агресивними піонерами та обережними гігантами ринку.
Сучасний етап розвитку мікроелектроніки характеризується боротьбою за кожен нанометр, де основним інструментом прогресу виступають сканери екстремального ультрафіолету (EUV). Однак для переходу на техпроцеси нижче 2 нм стандартних систем стає недостатньо. На сцену виходить обладнання класу High-NA (висока числова апертура), яке радикально змінює роздільну здатність літографії, дозволяючи друкувати щільніші та складніші схеми. Ціна такого прогресу висока: вартість однієї одиниці обладнання сягає 400 мільйонів доларів, що перетворює купівлю сканера на серйозне стратегічне рішення для будь-якого виробника.
Наразі ринок перебуває у стадії обережного освоєння цієї технології. За даними керівництва ASML, десять таких систем уже інтегровані у виробничі цикли та дослідницькі лабораторії чотирьох найбільших клієнтів. Ще три установки перебувають у процесі поставки та монтажу. Це обладнання не просто оновлює парк машин — воно визначає, хто зможе першим налагодити масовий випуск чипів наступного покоління.
Найбільш агресивну стратегію демонструє Intel. Компанія фактично стала піонером впровадження High-NA у реальне виробництво, використовуючи ці системи для реалізації техпроцесу Intel 18A. Зокрема, обладнання застосовується при створенні процесорів сімейства Panther Lake, що підкреслює прагнення компанії повернути собі технологічне лідерство через максимально швидке освоєння передової літографії.
Паралельно з цим південнокорейські гіганти Samsung та SK hynix роблять ставку на розвиток сегмента пам'яті. Для них системи TwinScan EXE:5200B стають ключем до еволюції DRAM. Очікується, що використання High-NA дозволить впровадити як мінімум п'ять нових поколінь норм літографії при виробництві пам'яті. Це не лише збільшує щільність зберігання даних, а й суттєво спрощує оснащення, скорочуючи загальний виробничий цикл, що є критично важливим в умовах дефіциту та високого попиту на високопродуктивну пам'ять.
З технічної точки зору системи High-NA вже демонструють вражаючу ефективність. На цей момент обладнання обробило понад 1,35 мільйона кремнієвих пластин. Поточна продуктивність моделі TwinScan EXE:5200B становить 135 пластин на годину, що робить її придатною для масового виробництва. Проте потенціал зростання ще великий: до кінця десятиліття ASML планує збільшити цей показник до 180–210 пластин на годину за рахунок випуску досконаліших модифікацій обладнання.
На цьому тлі позиція TSMC виглядає підкреслено консервативною. Попри статус найбільшого контрактного виробника у світі, тайванський гігант поки що обмежується лабораторними експериментами з новими сканерами. Для TSMC перехід на High-NA у масовому виробництві означає колосальні капітальні витрати, які на даному етапі можуть бути економічно невиправданими. Компанія воліє дочекатися моменту, коли технологія буде повністю відлагоджена, щоб впровадити її максимально ефективно та з мінімальними ризиками для своїх масштабів бізнесу.
Стратегічний альянс Nvidia та MediaTek
