Горизонти технологічного суверенітету Китаю в літографії
Технологічна ізоляція китайської індустрії напівпровідників

З 2019 року доступ Китаю до передових технологій виробництва мікросхем був фактично заблокований. Нідерландська компанія ASML, єдиний у світі постачальник систем екстремального ультрафіолету (EUV), втратила право постачати свої флагманські сканери до КНР. Це створило критичний бар'єр: без EUV-літографії економічно ефективне виробництво чипів розміром 7 нанометрів і менше стає практично нездійсненним. У результаті китайська індустрія опинилася перед обличчям екзистенційного виклику — або знайти спосіб обійти санкції, або створити власну технологічну базу з нуля.
Ситуація ускладнюється тим, що EUV-літографія — це не просто набір креслень, а вершина інженерної думки, що об'єднує оптику, вакуумні системи та прецизійну механіку. Згідно з аналізом експертів UBS, поточний рівень китайських розробників співмірний з тим, на якому перебувала ASML ще у 2004 році. Таким чином, часовий розрив становить близько 15 років. Навіть за умови масштабних державних інвестицій та високої патентної активності, повноцінний перехід до масового виробництва EUV-обладнання може відбутися не раніше 2040 року.
Більше того, виникає питання ринкової життєздатності таких розробок. Навіть якщо Пекіну вдасться подолати технічний бар'єр, створені системи можуть виявитися незатребуваними за межами внутрішнього ринку. Технологічне відставання від ASML у поєднанні з жорсткими регуляторними обмеженнями на Заході перетворює китайські сканери на інструмент внутрішнього виживання, а не на експортний продукт.
Як тимчасове рішення Китай робить ставку на DUV-літографію (глибокий ультрафіолет) із зануренням. Ця технологія менш досконала, ніж EUV, але вона доступніша для освоєння. За прогнозами UBS, масовий випуск таких систем у КНР може бути налагоджений у найближчі два-п'ять років. За наявними даними, деякі локальні гравці вже розпочали серійне виробництво: якщо цього року обсяг випуску складе близько п'яти одиниць, то наступного року він може зрости до двадцяти.
Варто зауважити, що спроби створити повноцінний EUV-сканер вже здійснювалися. На початку минулого року китайські інженери зібрали прототип системи, проте його функціональність є вкрай обмеженою. Наразі установка здатна генерувати лазерне випромінювання потрібної потужності та довжини хвилі, але вона все ще не може друкувати реальні структури на кремнієвій пластині. Це підтверджує тезу про те, що створення джерела світла — лише мала частина завдання; справжня складність полягає в управлінні цим світлом та забезпеченні нанометрової точності позиціонування.

