Глобальний попит на штучний інтелект та високопродуктивні обчислення ставить виробників пам'яті перед суворими фізичними обмеженнями. У цій гонці перехід на техпроцеси 10-нанометрового класу перетворюється на головний фронт боротьби за технологічне лідерство. Південнокорейський гігант SK hynix розпочинає агресивне масштабування потужностей на вузлі 1c, прагнучи здобути вирішальну стратегічну перевагу. Цей крок дозволяє не лише оптимізувати щільність зберігання даних, а й закласти фундамент для створення наступного покоління надшвидкої пам'яті.
Індустрія оперативної пам'яті зараз переживає період глибокої трансформації, де боротьба точиться за кожен нанометр і кожен шар літографії. SK hynix планомірно переводить свої виробничі потужності на новітній техпроцес 1c, що є шостим поколінням 10-нанометрового класу. Динаміка цього переходу вражає: якщо в першому кварталі 2026 року частка 1c становила скромні 10%, то до кінця року цей показник має перевищити третину всього обсягу виробництва. До початку 2027 року очікується, що вузол 1c стане домінуючим, охопивши близько 35% потужностей, тоді як попереднє покоління 1b займе 33%.
Варто розуміти, що термінологія техпроцесів у виробництві DRAM суттєво відрізняється від звичних стандартів логічних чипів, що використовуються в центральних процесорах. Коли індустрія говорить про «10-нанометровий клас», йдеться не про фізичний розмір транзистора, а про сукупність методів масштабування. У випадку з SK hynix, перехід від вузла 1b до 1c означає фактичне зменшення розміру елементів з 12–13 нм до 11–12 нм. Ключовим інструментом тут виступає літографія глибокого ультрафіолету (EUV). Якщо в техпроцесі 1b використовувалося чотири шари EUV, то в 1c їх кількість збільшується до п'яти-шести, що дозволяє досягти неймовірної щільності розміщення компонентів за збереження стабільності сигналу.
Ця технологічна база стає фундаментом для створення продуктів нового покоління. Саме на вузлі 1c базуватимуться майбутні стандарти LPDDR6, DDR5 та високопродуктивна пам'ять HBM4E. Водночас більш зрілий техпроцес 1b продовжує забезпечувати ринок актуальними рішеннями, такими як HBM3E та HBM4, які вже сьогодні є критично важливими для роботи сучасних GPU та нейромережевих акселераторів.
Конкурентне середовище в цьому сегменті надзвичайно напружене. Наразі Samsung і Micron демонструють певне випередження за часткою використання 1c у своїх потужностях (16% та 19% відповідно проти 13% у SK hynix). Однак темпи масштабування південнокорейського виробника вказують на намір перехопити ініціативу вже до четвертого кварталу поточного року.
У довгостроковій перспективі індустрія стикається з фундаментальною фізичною межею. Традиційна планарна структура транзисторів 6F² практично вичерпала свій потенціал масштабування. Подальший прогрес потребуватиме радикального перегляду самої геометрії комірок: переходу до транзисторів із вертикальним затвором 4F² та повноцінного тривимірного стекування DRAM. Попри те, що ці інновації стануть визначальними в майбутньому, вузол 1c залишатиметься основним робочим інструментом SK hynix ще довгі роки, забезпечуючи необхідний баланс між щільністю, енергоефективністю та вартістю виробництва.
Потужність та естетика Xiaomi Pad 9 Pro Max
