Сучасна індустрія напівпровідників фактично перебуває в заручниках вузького кола постачальників літографічного обладнання. Доступ до технологій екстремального ультрафіолету (EUV) став єдиним шляхом створення чипів із техпроцесом менше 7 нанометрів, що перетворило це обладнання на інструмент геополітичного тиску. Китай, який опинився за бортом цього ринку з 2019 року, прагне досягти повної автономії у виробництві критичних компонентів. Останні успіхи місцевих дослідників у створенні джерела випромінювання знаменують початок тривалого шляху до подолання технологічної залежності.
У сучасній мікроелектроніці літографічний сканер є свогорідним «священним граалем». Саме він визначає фізичну межу мініатюризації транзисторів, дозволяючи переносити найскладніші топології схем на кремнієву пластину. Однак ринок цього обладнання характеризується безпрецедентною концентрацією влади: фактично весь світ залежить від кількох західних компаній, і насамперед від нідерландської ASML.
Для виробництва чипів за нормами нижче 7 нм необхідне використання екстремального ультрафіолетового випромінювання (EUV). На відміну від традиційного глибокого ультрафіолету, EUV має значно меншу довжину хвилі, що дозволяє «малювати» тонші лінії та розміщувати більше транзисторів на одиницю площі. З 2019 року поставки таких систем до Китаю були заблоковані за ініціативою Нідерландів та США, що поставило перед Пекіном завдання екстреного створення власного технологічного стека.
Ключовим вузлом будь-якої EUV-системи є джерело випромінювання. Довгий час китайські розробки залишалися на рівні лабораторних експериментів із критично низькою ефективністю. Попередні ітерації демонстрували ККД не вище 3,42%, що означає колосальні втрати енергії під час її перетворення на корисне випромінювання, придатне для роботи з кремнієм. Щобільше, потужність таких установок коливалася в діапазоні 100–150 Вт, що є катастрофічно недостатнім для промислового застосування.
Для порівняння: сучасні серійні системи ASML видають близько 600 Вт, а перспективні розробки компанії націлені на поріг у 1000 Вт. У світі напівпровідників потужність джерела напряму корелює з пропускною здатністю заводу: чим вища потужність, тим більше пластин можна обробити за одиницю часу і тим нижчою є собівартість одного чипа.
Прогрес у цьому напрямі став можливим завдяки притоку інтелектуального капіталу. Значний внесок у розробку нового джерела випромінювання зробив фахівець із досвідом роботи в ASML, який глибоко розумів внутрішні механізми функціонування лазерних систем цього класу. Це підкреслює загальну тенденцію: технологічний ривок Китаю спирається не лише на державні інвестиції, а й на переманювання ключових компетенцій із західних центрів розробки.
Однак створення працюючого джерела світла — це лише вирішення однієї з багатьох задач. Повноцінний EUV-сканер є однією з найскладніших інженерних конструкцій в історії людства. Окрім лазера, системі необхідні надточні дзеркала з майже ідеальною відбивальною здатністю (оскільки звичайні лінзи поглинають EUV-промені), прецизійні приводи позиціонування та надскладне програмне забезпечення для керування процесом.
Наразі китайські прототипи все ще страждають від недостатньої якості оптики, що робить їх непридатними для масового виробництва. Аналітики вважають, що навіть за наявності працюючого джерела випромінювання, повноцінний і комерційно життєздатний EUV-сканер власної розробки Китай зможе створити не раніше 2028–2030 років. Цей часовий лаг створює критичне вікно можливостей для західних компаній, але водночас підтверджує стратегічну рішучість Китаю повністю виключити зовнішні залежності зі свого ланцюжка виробництва напівпровідників.
Ціна стрімкого розвитку CXMT у сфері пам'яті
