Світова індустрія напівпровідників увійшла у фазу екстремального технологічного тиску, де боротьба точиться за кожен ангстрем. Епіцентром цього протистояння стало обладнання High-NA EUV — наддорогі сканери, здатні радикально підвищити щільність транзисторів та швидкість обробки пластин. Проте технологічна перевага нині зіткнулася з суворими економічними реаліями та викликами операційної ефективності. Samsung обирає шлях прагматизму, відкладаючи масштабне впровадження цієї технології до епохи однонанометрових чипів.
Сучасна літографія досягла своєї межі, за якою традиційні методи перестають працювати. Виходом став перехід до обладнання з високою числовою апертурою (High-NA), що дозволяє зменшити норми літографії нижче порогу 2 нм. Проте ціна такого прогресу є колосальною: вартість однієї одиниці обладнання може сягати 400 мільйонів доларів, що перетворює модернізацію виробництва на серйозне фінансове випробування навіть для технологічних гігантів.
Для Samsung Electronics питання впровадження High-NA EUV перестало бути суто технічним і перейшло у площину стратегічного планування. Попри початкові плани інтегрувати ці сканери вже на етапах 2 нм та 1,4 нм, компанія переглянула свої пріоритети. Тепер масове виробництво з використанням цієї технології заплановано не раніше ніж на 2030 рік. Цей термін збігається з амбітним планом з освоєння техпроцесу A10 (1 нм), що робить перехід на апертуру 0,55 логічним і економічно обґрунтованим кроком саме в цей період.
Поточна дорожня карта компанії виглядає послідовно: наразі Samsung уже працює з 2-нм технологією, а запуск техпроцесу SF1.4 очікується у 2029 році. До 2030 року планується перехід на SF1.4+ і, зрештою, на повноцінний однонанометровий стандарт. Інженери Samsung переконані, що до цього рубежу достатньо використовувати обладнання з числовою апертурою 0,33. Більше того, індустрія поки не створила цілісну екосистему витратних матеріалів та оснащення, необхідних для ефективної роботи High-NA у промислових масштабах.
У перехідний період на фабриках спостерігатиметься гібридний підхід: традиційна EUV-літографія та її просунута версія High-NA співіснуватимуть, доповнюючи одна одну. Щоб мінімізувати ризики, Samsung уже встановила два новітніх сканери ASML у своєму кампусі в Хвасоні, проте вони використовуються для досліджень і розробок, а не для масового випуску продукції.
Така обережність продиктована необхідністю оздоровлення фінансової структури контрактного бізнесу компанії. В умовах боротьби за нових великих клієнтів і прагнення до точки беззбитковості, різке зростання капітальних витрат на обладнання може стати критичним чинником. Замість цього Samsung робить ставку на альтернативні методи підвищення точності, такі як атомно-шарове травлення (ALE), яке поступово впроваджується у виробничі цикли.
На тлі цієї стратегії дії конкурентів виглядають або агресивніше, або, навпаки, так само стримано. Intel уже почала застосовувати High-NA EUV при створенні кристалів для процесорів Panther Lake в рамках техпроцесу Intel 18A, прагнучи повернути собі технологічне лідерство. TSMC, натомість, займає позицію вичікування і не планує масштабного переходу до 2029 року, вважаючи, що техпроцеси A12 та A13 можна реалізувати без використання наддорогих сканерів. Водночас SK hynix активно експериментує з High-NA у сегменті пам'яті, використовуючи додаткові методи, такі як фотомаски з фазовим зсувом, щоб максимально збільшити роздільну здатність обладнання.
Зрештою індустрія приходить до розуміння: технологічний ривок неможливий без економічної доцільності. Перехід на апертуру 0,55 стане неминучим, але для Samsung цей крок буде зроблено лише тоді, коли фізичні можливості старих систем будуть вичерпані, а ринок буде готовий до масштабування однонанометрових рішень.
Ціна стрімкого розвитку CXMT у сфері пам'яті
