Стрімкий злет генеративного штучного інтелекту спровокував безпрецедентний попит на високопродуктивну пам'ять, перетворивши ринок напівпровідників на арену запеклого стратегічного протистояння. Відповідаючи на цей виклик, Samsung трансформує свій промисловий кластер у Пхьонтхеку на найбільший у світі центр виробництва чипів. Прискорення темпів будівництва нових заводів свідчить про перехід компанії до стратегії агресивної експансії, покликаної закріпити її технологічне лідерство на десятиліття вперед. Масштаб інвестицій та швидкість розгортання виробничих потужностей підкреслюють фундаментальну ставку корпорації на довгостроковий вектор розвитку AI-інфраструктури.
Індустрія пам'яті завжди вирізнялася високою волатильністю, де помилки в плануванні потужностей могли призвести або до катастрофічного надлишку, або, навпаки, до гострого дефіциту продукції. У Пхьонтхеку Samsung пройшла через цей цикл: якщо кілька років тому компанія була змушена обережно вводити в експлуатацію корпуси свого гігантського комплексу, то сьогодні стратегія змінилася на форсовану. Будівництво шостого корпусу наразі просувається з випередженням графіка, що підкреслює впевненість компанії в майбутньому попиті.
Центральним елементом поточної експансії став проєкт P5 Fab 2. Згідно з даними з Південної Кореї, роботи на майданчику перейшли в активну фазу: зафіксовано появу палевих машин та переміщення обладнання, що вказує на початок закладання фундаменту вже найближчого місяця. Геодезичні дослідження завершено, а команда управлінців і технічних фахівців уже сформована.
Масштаби об'єкта вражають: площа корпусу становитиме близько 130 000 квадратних метрів, що цілком сопоставимо з територією вісімнадцяти футбольних полів. Технологічний процес базуватиметься на використанні 300-мм кремнієвих пластин, що дозволить заводу випускати від 200 до 300 тисяч пластин щомісяця. Хоча основний фокус зосереджений на пам'яті HBM, DRAM та NAND, гнучкість виробничих ліній дозволить Samsung розміщати тут і замовлення на виробництво логічних компонентів для сторонніх клієнтів, розширюючи свою присутність у сегменті контрактного виробництва (foundry).
Запуск P5 Fab 2 очікується до 2029 року, що на пів року раніше початкових планів. Цей завод доповнить сусідній P5 Fab 1, будівництво якого розпочалося наприкінці минулого року і завершиться до 2028 року. Фінансові витрати на кожен із цих об'єктів оцінюються приблизно у 39 мільярдів доларів. Сукупна потужність двох підприємств дозволить обробляти до 600 000 пластин на місяць.
Якщо зіставити ці цифри з поточними можливостями Samsung із випуску DRAM (близько 650 000 пластин на місяць по всіх заводах), стає очевидним, що до 2029 року компанія фактично подвоїть свої виробничі потужності. Це стратегічний маневр, спрямований на домінування в сегменті пам'яті з високою пропускною здатністю (HBM), яка є критичним компонентом для сучасних прискорювачів ШІ.
Однак експансія не обмежується лише новими корпусами в Пхьонтхеку. Samsung проводить паралельну модернізацію вже діючих ліній. Зокрема, у корпусі P4 розгортається виробництво DRAM за 6-м поколінням 10-нм техпроцесу (1c), призначене для створення чипів HBM4. Ця лінія додасть ще від 100 до 200 тисяч пластин на місяць, забезпечуючи технологічний відрив у щільності запису та енергоефективності.
Глобальна стратегія компанії охоплює і інші регіони. У Китаї Samsung освоює випуск надщільної 286-шарової пам'яті NAND, а в Тейлорі, штат Техас, готується запуск виробництва 2-нм чипів, які будуть затребувані такими гігантами, як Tesla.
Таким чином, Samsung вибудовує багаторівневу систему захисту своїх ринкових позицій: від нарощування кількісних обсягів у Південній Кореї до освоєння передових техпроцесів у США та Китаї. Збільшення капітальних витрат цього року, попри відсутність конкретних цифр в офіційних звітах, підтверджує намір компанії створити недоламний бар'єр для конкурентів завдяки поєднанню колосального масштабу та технологічної досконалості.
Економіка дата-центрів у відкритому космосі
