Глобальний ринок напівпровідникової пам'яті проходить через період трансформації, під час якої здатність до швидкої адаптації стає вагомішим чинником, ніж банальне масштабування. Традиційний вектор експансії, що базувався на будівництві нових заводів, поступається місцем стратегії глибокої оптимізації та технологічного оновлення. Samsung Electronics обирає шлях інтенсивного зростання, зосереджуючись на підвищенні виходу придатних кристалів та переході на найсучасніші техпроцеси. Такий підхід дозволяє компанії збільшувати обсяги поставок, одночасно мінімізуючи капітальні витрати на розбудову інфраструктури.
В індустрії виробництва пам'яті настає епоха, коли кількісне розширення виробничих площ перестає бути єдиним важелем впливу на ринок. Samsung Electronics переглядає свої пріоритети, переходячи від екстенсивного зростання до стратегії максимальної ефективності. Замість будівництва нових фабрик компанія робить ставку на підвищення рівня виходу придатної продукції (yield) та прискорену міграцію на більш прогресивні техпроцеси.
Центральним елементом цієї стратегії є переведення виробництва DRAM з техпроцесу 1b на більш сучасний 1c. Така модернізація дозволяє збільшити щільність запису даних та енергоефективність без потреби в додаткових квадратних метрах цехів. Однак цей процес ускладнюється зростаючим попитом на пам'ять стандарту HBM4, яка потребує особливих ресурсів та уваги, що неминуче стримує темпи загального приросту. Згідно з аналітикою Omdia, цього року обсяг випуску DRAM зросте приблизно на 6%, досягнувши 8,2 млн кремнієвих пластин, тоді як наступного року зростання сповільниться до 1,3%, зупинившись на позначці 8,28 млн пластин.
Внутрішня перебудова виробничих потужностей призводить до перерозподілу навантаження між майданчиками. Завод у Пхьонтхеку стає основним центром експансії: завдяки оновленню обладнання його частка в загальному обсязі виробництва DRAM має зрости з 49,5% до 55,4% до наступного року. Це демонструє прагнення компанії витиснути максимум із уже наявних активів.
Паралельно з цим спостерігається інша динаміка на комплексі у Хвасоні. Останні три роки цей майданчик демонструє стагнацію або навіть негативний розвиток. Тут Samsung застосовує метод «технологічного ресайклінгу»: старі лінії, що раніше випускали 2D NAND, перепрофілюються під тестування та пакування DRAM. Враховуючи, що у 2024 році зрілі версії DRAM та NAND забезпечували близько 30% виторгу, модернізація таких ліній відкриває прихований потенціал для оптимізації без капітального будівництва.
Однак така обережна стратегія створює певні ризики на тлі дій конкурентів. SK hynix дотримується значно агресивнішого курсу, плануючи збільшити обсяг обробки пластин майже на 10% — до 6,66 млн штук. Ця різниця в підходах призводить до поступового скорочення ринкового розриву: якщо раніше Samsung випереджала конкурента за обсягами випуску DRAM на 27%, то до наступного року ця перевага може скоротитися до 13,6%.
В умовах гострого дефіциту пам'яті гнучкість SK hynix у насиченні ринку виглядає виграшніше в короткостроковій перспективі. Проте ставка Samsung на якість та технологічну досконалість техпроцесів може дати довгостроковий ефект, перетворюючи виробничу ефективність на головну конкурентну перевагу.
Епоха двохнанометрових чипів у новому iMac
