Глобальний попит на штучний інтелект докорінно змінює правила гри в індустрії напівпровідників, перетворюючи високошвидкісну пам’ять на один із найкритичніших та найдефіцитніших ресурсів сучасності. У цій невпинній гонці за продуктивністю тайванська компанія Nanya ставить на радикальну модернізацію своїх виробничих потужностей. Масштабні інвестиції в EUV-літографію покликані вивести гравця з тіні технологічних гігантів та відкрити доступ до найсучасніших техпроцесів. Це не просто розширення заводів, а стратегічна спроба переглянути ринкове позиціонування компанії в епоху генеративного ШІ.
У центрі нової стратегії Nanya лежить амбітний проєкт із завершення будівництва фабрики Fab 5A. Компанія затвердила інвестиції в розмірі 346,6 млрд тайваньських доларів (близько 10,7 млрд доларів США), щоб забезпечити перехід на передові техпроцеси. Ключовим технологічним драйвером тут виступає EUV-літографія — метод експозиції екстремальним ультрафіолетом, який дозволяє створювати значно щільніші та енергоефективніші структури транзисторів, ніж традиційні методи глибокого ультрафіолету (DUV). Очікується, що повноцінний випуск DRAM-пам'яті на базі EUV розпочнеться у другій половині 2027 року.
Технологічний вектор розвитку зосереджений на створенні пам'яті 10-нанометрового класу. Йдеться про покоління 1C, 1D та 1E — галузеві стандарти щільності пакування комірок пам'яті. Наразі компанія вже запустила пілотне виробництво чипів покоління 1C, тоді як більш досконалі вузли 1D та 1E все ще перебувають на стадії розробки. Такий поетапний підхід дозволяє мінімізувати ризики при впровадженні надскладного обладнання EUV, відомого своєю «капризністю» та високою вартістю обслуговування.
Масштабування потужностей Fab 5A відбуватиметься ітераційно. До 2028 року планується досягти обсягу в 30 тисяч пластин на місяць, який зросте до 35,9 тисяч до 2029 року. Зрештою, проєктна потужність підприємства має скласти 45 тисяч пластин щомісяця. Сумарні капітальні витрати на розвиток Fab 5A оцінюються приблизно в 16 млрд доларів, що підкреслює серйозність намірів компанії конкурувати у вищій лізі виробників пам'яті.
Важливо розуміти, що впровадження EUV-літографії — це не просто кількісне розширення, а якісний стрибок. Nanya прагне уникати дублювання старих техпроцесів і зосередитися на випуску сучасних типів пам'яті. Паралельно з цим компанія завершує процес кваліфікації чипів LPDDR5, які є критично важливими для мобільних пристроїв та систем Edge AI, де енергоефективність стоїть на одному рівні зі швидкістю передачі даних.
Історично Nanya займає досить скромну нішу на світовому ринку DRAM — її частка становить близько 1,6%. Однак останні квартали продемонстрували неочікуване фінансове зростання, спричинене сплеском попиту на застарілі стандарти DDR3 та DDR4. Попри тимчасовий успіх старих продуктів, компанія усвідомлює пастку «спадкоємності»: зараз на сучасну пам'ять DDR5 припадає лише близько 10% виторгу. Запуск Fab 5A покликаний радикально змінити цю пропорцію, перемістивши основний потік доходів у сегмент високопродуктивних рішень.
Цей тренд на модернізацію спостерігається і в інших гравців регіону; наприклад, Winbond також заявляє про плани щодо подвоєння обсягів випуску DRAM. Таким чином, тайванський напівпровідниковий кластер прагне створити потужний противагу домінуванню глобальних лідерів, використовуючи вікно можливостей, відкрите бумом штучного інтелекту.
Ціна стрімкого розвитку CXMT у сфері пам'яті
