Китайський прорив у сфері високошвидкісної пам'яті

Довгий час південнокорейські технологічні гіганти оцінювали розрив із китайськими колегами приблизно у п'ять років. Однак сьогодні ця дистанція стрімко скорочується. У найскладнішому та стратегічно важливому сегменті — пам'яті з високою пропускною здатністю (HBM) — відставання зменшилося до трьох років, а в інших категоріях воно й взагалі вимірюється одним або двома роками.

Особливий інтерес викликає діяльність компанії CXMT. За наявними даними, підприємство вже розпочало тестування п'ятого покоління пам'яті, відомого як HBM3E, і планує запустити її масове виробництво вже наступного року. Для контексту: HBM3E відстає лише на одне покоління від HBM4 — стандарту, який уже серійно випускають Samsung, SK hynix та американська Micron Technology. Паралельно з цим CXMT, за повідомленнями галузевих експертів, уже налагодила масовий випуск HBM3.

Подібний стрімкий прогрес зумовлений поєднанням колосального внутрішнього ринку КНР, розвиненої екосистеми досліджень та прямої державної підтримки. Китайські інженери демонструють феноменальну швидкість адаптації: шлях, який західні та корейські конкуренти проходили за три роки, у Китаї долається за один.

Ключовим викликом для галузі залишається відсутність доступу до передових EUV-сканерів (екстремальних ультрафіолетових літографів), які необхідні для створення мікросхем із гранично тонкими нормами. У відповідь на це китайські компанії змістили фокус із самої літографії на вдосконалення технологій пакування та інтеграції різнорідних компонентів.

Одним із найперспективніших рішень стало застосування технології X-Stacking, яку YMTC використовує при створенні 3D NAND. Цей метод дозволяє буквально «зрощувати» дві кремнієві пластини, що радикально скорочує шлях електричного сигналу. Результатом стає значне підвищення пропускної здатності та зниження енергоспоживання без необхідності використання дорогого EUV-обладнання. Аналогічний вектор розвитку обрала і Huawei, запропонувавши концепцію «складання чипів», де дві половини з'єднуються вертикальними інформаційними каналами.

Експансія Китаю охоплює не лише HBM. У сегменті пам'яті DDR5 відставання від корейських лідерів скоротилося до двох років. Ще більш вражаючі результати демонструє YMTC у виробництві 3D NAND: минулого року компанія досягла показника у 270 шарів, тоді як корейські конкуренти зупинилися на позначці 300. Очікується, що вже наступного року Китай може перехопити ініціативу, представивши 400-шарову пам'ять.

Економічні показники підтверджують масштаб цього ривка. CXMT уже посіла четверте місце у світі за виторгом від реалізації DRAM із часткою ринку в 10%, при цьому продемонструвавши вражаючу норму операційного прибутку у 82%, що перевищує показники обох південнокорейських суперників. YMTC, своєю чергою, контролює 14% світового ринку NAND і прагне до глобального лідерства до кінця наступного року. Фінансова підтримка також залишається на високому рівні: вихід CXMT на біржу дозволив залучити майже 10 мільярдів доларів для розширення виробничих потужностей.

Проте технологічний оптимізм стикається з суворою реальністю виробничих процесів. Головною проблемою залишається низький вихід годних кристалів (yield rate). Для HBM3E цей показник у CXMT не перевищує 25%, тоді як галузевим стандартом вважається рівень у 80%. Настільки високий відсоток браку неминуче веде до зростання собівартості продукції та обмежує реальні обсяги поставок, нагадуючи про те, що шлях до абсолютного технологічного суверенітету все ще супроводжується серйозними інженерними труднощами.