Конец эпохи дешевой памяти

Индустрия полупроводниковой памяти перестает быть заложницей привычной цикличности. Если раньше рынок следовал понятному сценарию — от перепроизводства и обвала цен к дефициту и новому росту, — то сегодня мы наблюдаем формирование долгосрочного тренда на нехватку компонентов. Аналитики Jefferies предупреждают, что дефицит DRAM и NAND затянется как минимум до 2028 года, а привычные периоды «ценового отката», которыми так ждали потребители и производители электроники, могут просто не наступить.

Ценовая динамика в ближайшие годы выглядит пугающе. В текущем квартале ожидается последовательный рост контрактных цен на 40–50%, а к концу четвертого квартала этот показатель может увеличиться еще на 30–40%. Тренд сохранится и в 2027 году с прогнозируемым ростом в 40–45%. Столь стремительный взлет обусловлен тем, что темпы ввода новых производственных мощностей катастрофически отстают от аппетитов рынка.

Главным драйвером этого процесса стали «облачные гиганты» — гиперскейлеры, строящие колоссальные ИИ-кластеры. На данный момент они выкупают до 50% всего доступного объема памяти, и эта доля, по прогнозам, может вырасти до 70%. Стратегия закупки изменилась: вместо спотовых сделок компании переходят на долгосрочные контракты сроком от двух лет, зачастую выплачивая авансы до 40% от общей суммы. Фактически, крупнейшие игроки рынка резервируют за собой будущие производственные линии, создавая искусственный барьер для всех остальных.

В этой ситуации сегмент потребительской электроники оказывается в самом уязвимом положении. В отличие от облачных провайдеров, производители смартфонов, ноутбуков и бытовой техники не заключают подобных долгосрочных соглашений. В результате они получают всё меньше микросхем, что бьет не только по себестоимости устройств, но и по самим объемам выпуска продукции.

Ситуацию усугубляет внутренняя трансформация производств. Память с высокой пропускной способностью (HBM), критически важная для ускорителей ИИ, обладает гораздо более высокой маржинальностью, чем классическая DRAM. Это заставляет производителей перепрофилировать конвейеры: чем больше HBM сходит с линий, тем меньше остается места для стандартной памяти. В этой гонке Samsung Electronics, столкнувшись с определенными трудностями на этапах HBM3 и HBM3E, делает ставку на поколение HBM4, рассчитывая за счет него ликвидировать отставание от конкурентов.

Китайский фактор, который многие надеялись увидеть в роли стабилизатора, пока остается незначительным. Местные производители, включая CXMT, существенно отстают от корейских и западных лидеров — разрыв составляет от полутора до двух технологических поколений. Отсутствие доступа к передовому оборудованию для EUV-литографии делает практически невозможным переход к выпуску DDR6 или HBM3E в обозримом будущем. В сегменте DRAM китайские компании ориентированы преимущественно на внутренний рынок, поэтому их влияние на глобальную конъюнктуру будет минимальным как минимум до конца 2027 года.

Несколько иная картина складывается в сегменте NAND. Здесь китайские игроки имеют больше шансов выйти на мировой уровень по технологиям и объемам поставок к 2028 году. Однако даже этот сценарий не гарантирует быстрого облегчения ситуации.

Чтобы цены на DRAM начали снижаться, мировые объемы производства должны вырасти на 15–20%. Но такой рост возможен только в одном случае: если темпы развития инфраструктуры искусственного интеллекта внезапно замедлятся. В противном случае мир вступает в эру «дорогого кремния», где доступ к памяти становится таким же стратегическим ресурсом, как энергия или редкоземельные металлы.